1、一文中讲述了用红外成像仪测功率半导体芯片温度的案例使用热成像仪时的注意事项为了实现精确测量,使用热成像仪时需要注意如;功率MOSFET的顶部 将器件装配在PCB上,Vgs=30V,通过电流为94A,工作10分钟,然后用红外热成像仪分别测量它们的顶部温度;导读AT400系列工业在线式测温红外热像仪,为用户带来实时测温+精准分析新体验,赋能千行百业作为红外热成像领军者,艾睿;三星S8+FLIR红外热像仪1功率测试EnergyPad无线充电器在无负载的情况下,自耗功率约为01W三星S8 plus充电放上手机。
">作者:admin人气:0更新:2025-10-01 20:42:20
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2、上期分析了Boson机芯的参数和应用领域,Boson长波红外热像仪机芯重新定义了尺寸重量和功率SWaP的革新标准,再次引领。
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标签:红外热像仪功率
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